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小米集团(01810.HK)与首批德国汽车经销商集团签署谅解备忘录。
2026-09-03
小米集团(01810.HK)与首批德国汽车经销商集团签署谅解备忘录。
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2026-09-03
马来西亚央行:在全球科技行业强劲扩张、供应状况改善以及劳动力市场稳定的支撑下,全球经济增长依然保持韧性。
马来西亚央行:在全球科技行业强劲扩张、供应状况改善以及劳动力市场稳定的支撑下,全球经济增长依然保持韧性。
2026-09-03
Researchers at the Swiss Federal Institute of Technology Lausanne (EPFL) have developed a gallium nitride (GaN) power transistor with a breakdown voltage near 4,000V while retaining low on-resistance. Published in Nature Electronics, the device delivers about five times the breakdown voltage of commercial GaN power parts (typically 600–650V) and is positioned for high‑voltage power conversion in AI data centers, renewable-energy systems and electric vehicles, reducing conversion losses and heat.
Researchers at the Swiss Federal Institute of Technology Lausanne (EPFL) have developed a gallium nitride (GaN) power transistor with a breakdown voltage near 4,000V while retaining low on-resistance. Published in Nature Electronics, the device delivers about five times the breakdown voltage of commercial GaN power parts (typically 600–650V) and is positioned for high‑voltage power conversion in AI data centers, renewable-energy systems and electric vehicles, reducing conversion losses and heat.
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