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中國上證綜指9月7日(週一)收盤上漲2.58點,漲幅:0.07%,報3932.7點; 中國深證成指9月7日(週一)收盤上漲257.95點,漲幅:1.91%,報13774.92點; 中國滬深300指數9月7日(週一)收盤上漲26.97點,漲幅:0.59%,報4575.02點; 中國創業板指數9月7日(週一)收盤上漲112.14點,漲幅:3.41%,報3398.68點; 中國科創50指數9月7日(週一)收盤上漲38.17點,漲幅:2.42%,報1615.53點。
2026-09-07
中國上證綜指9月7日(週一)收盤上漲2.58點,漲幅:0.07%,報3932.7點; 中國深證成指9月7日(週一)收盤上漲257.95點,漲幅:1.91%,報13774.92點; 中國滬深300指數9月7日(週一)收盤上漲26.97點,漲幅:0.59%,報4575.02點; 中國創業板指數9月7日(週一)收盤上漲112.14點,漲幅:3.41%,報3398.68點; 中國科創50指數9月7日(週一)收盤上漲38.17點,漲幅:2.42%,報1615.53點。
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2026-09-07
KB證券7日發佈報告稱,受AI基礎設施投資大幅增長推動,存儲芯片市場或將迎來前所未有的供應短缺。該券商預計,經過近期股價調整後,三星電子和SK海力士已進入低估區間,股價有望迎來“強勁重估”。 KB證券指出,全球超大規模雲服務商明年的AI基礎設施投資規模已上調至1.3萬億美元,同比增長60%。其中,存儲芯片佔AI基礎設施投資的比例預計將從2025年的14%升至2026年的40%,2027年進一步升至57%。TrendForce甚至預計,明年這一比例將達到68%。 KB證券研究部門負責人Kim Dong-won表示,截至第三季度,三星電子和SK海力士的存儲芯片庫存已降至10天以內,市場可能出現可銷售庫存被完全耗盡的情況。 該券商認爲,HBM4量產擠佔通用DRAM產能將進一步加劇供應緊張。由於HBM4的晶圓產能消耗約爲通用DRAM的3倍,在晶圓產能有限的情況下,其擴產將明顯限制存儲芯片整體供給增長。KB證券預計,明年DRAM和NAND的位元需求增速將較供給增速高出10個百分點以上,供需缺口或進一步擴大。
KB證券7日發佈報告稱,受AI基礎設施投資大幅增長推動,存儲芯片市場或將迎來前所未有的供應短缺。該券商預計,經過近期股價調整後,三星電子和SK海力士已進入低估區間,股價有望迎來“強勁重估”。 KB證券指出,全球超大規模雲服務商明年的AI基礎設施投資規模已上調至1.3萬億美元,同比增長60%。其中,存儲芯片佔AI基礎設施投資的比例預計將從2025年的14%升至2026年的40%,2027年進一步升至57%。TrendForce甚至預計,明年這一比例將達到68%。 KB證券研究部門負責人Kim Dong-won表示,截至第三季度,三星電子和SK海力士的存儲芯片庫存已降至10天以內,市場可能出現可銷售庫存被完全耗盡的情況。 該券商認爲,HBM4量產擠佔通用DRAM產能將進一步加劇供應緊張。由於HBM4的晶圓產能消耗約爲通用DRAM的3倍,在晶圓產能有限的情況下,其擴產將明顯限制存儲芯片整體供給增長。KB證券預計,明年DRAM和NAND的位元需求增速將較供給增速高出10個百分點以上,供需缺口或進一步擴大。
2026-09-07
German Chancellor Merz said the CDU’s result was its worst defeat in decades and would have consequences.
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