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美元兌日元USD/JPY日內跌幅達1.00%，現報157.10。

2026-09-03

美元兌日元USD/JPY日內跌幅達1.00%，現報157.10。

其他消息
2026-09-03

希音-W(00625.HK)上市第三日跌超10%。

希音-W(00625.HK)上市第三日跌超10%。
2026-09-03

Researchers at the Swiss Federal Institute of Technology Lausanne (EPFL) have developed a gallium nitride (GaN) power transistor with a breakdown voltage near 4,000V while retaining low on-resistance. Published in Nature Electronics, the device delivers about five times the breakdown voltage of commercial GaN power parts (typically 600–650V) and is positioned for high‑voltage power conversion in AI data centers, renewable-energy systems and electric vehicles, reducing conversion losses and heat.

Researchers at the Swiss Federal Institute of Technology Lausanne (EPFL) have developed a gallium nitride (GaN) power transistor with a breakdown voltage near 4,000V while retaining low on-resistance. Published in Nature Electronics, the device delivers about five times the breakdown voltage of commercial GaN power parts (typically 600–650V) and is positioned for high‑voltage power conversion in AI data centers, renewable-energy systems and electric vehicles, reducing conversion losses and heat.
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