三星在泰勒市的首座晶圆厂(Fab
1)正推进设备安装、工厂及产品验证,计划2026年底投入运营,2027年实现商业化量产,主要采用极紫外光(EUV)光刻技术生产2纳米芯片。与此同时,三星电子计划于2026年11月启动美国得克萨斯州泰勒市第二座晶圆厂(Taylor
Fab 2)建设,目标2030年实现量产。该厂规划面积约270万平方英尺(约25.1万平方米),具体采用何种制程工艺尚未公布。
据悉扩产主要是因AI和高性能计算需求推动,三星2025年7月与特斯拉签署165亿美元芯片制造协议,合同延续至2033年,涉及特斯拉下一代AI6芯片,但尚未披露两座工厂的具体产能分配。(韩国DIGITIMES)