三星在泰勒市的首座晶圓廠（Fab 1）正推進設備安裝、工廠及產品驗證，計劃2026年底投入運營，2027年實現商業化量產，主要採用極紫外光（EUV）光刻技術生產2納米芯片。與此同時，三星電子計劃於2026年11月啓動美國得克薩斯州泰勒市第二座晶圓廠（Taylor Fab 2）建設，目標2030年實現量產。該廠規劃面積約270萬平方英尺（約25.1萬平方米），具體採用何種製程工藝尚未公佈。 據悉擴產主要是因AI和高性能計算需求推動，三星2025年7月與特斯拉簽署165億美元芯片製造協議，合同延續至2033年，涉及特斯拉下一代AI6芯片，但尚未披露兩座工廠的具體產能分配。（韓國DIGITIMES）

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